Showing 25 of 1104 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QT582LH6-32.768KHZ
Q-TECH Corporation
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1 | CMOS Output Clock Oscillator, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-4 | QT582LH6-32.768KHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BDP948H6327TR
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | BDP948H6327TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BFN39H6327TR
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223, 4 PIN | BFN39H6327TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BCX69-16H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, | BCX69-16H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP321PH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00098A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP321PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BDP950H6327TR
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | BDP950H6327TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BFP780H6327
Infineon Technologies AG
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.12A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, | BFP780H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SJ18150H6-3.2768-T&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.2768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE WELDED, SMD, 2 PIN | SJ18150H6-3.2768-T&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL214NH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, | BSL214NH6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSD816SNH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSD816SNH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84P-H6327
Infineon Technologies AG
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,170MA I(D),SOT-23 | BSS84P-H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NEH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | BSS806NEH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS209PWH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | BSS209PWH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMBT3904PN-H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP | SMBT3904PN-H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BC846SH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 | BC846SH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS806NH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | BSS806NH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL308PEH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSL308PEH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP299H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | BSP299H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP317PH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP317PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL806NH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | BSL806NH6327XTSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL296SNH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSL296SNH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BAT1505WH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | BAT1505WH6327XTSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BC856BWH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | BC856BWH6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS314PEH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | BSS314PEH6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SJ18115H6-3.2768-T&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.2768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE WELDED, SMD, 2 PIN | SJ18115H6-3.2768-T&R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||