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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1010STRRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-015PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100NS200.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 200ohm, 5% +/-Tol | IRF100NS200.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100C2.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 2ohm, 5% +/-Tol | IRF100C2.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010NSTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010NSTRLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010ELTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | IRF1010ELTRR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 81A, 60V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010E-005PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | IRF1010Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S100.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 100ohm, 5% +/-Tol | IRF100S100.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S10.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 10ohm, 5% +/-Tol | IRF100S10.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010ZSTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010ZSTRLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010N-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 72A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010N-030PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-004PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010EZSTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010EZSTRRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-029 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S15.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 15ohm, 5% +/-Tol | IRF100S15.00OHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100NC1.50KOHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 1500ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC1.50KOHMSJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010N-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-004PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010ESPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010ESPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010N-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-011 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 81A, 60V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010E-013PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010EZSTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF1010EZSTRR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 81A, 60V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010E-015PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF100S1.1KOHMG
Nikkohm Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 90W, 1100ohm, 2% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF100S1.1KOHMG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 75A, 55V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF1010-009PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||