Showing 25 of 517 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100P218
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 209A I(D), 100V, 0.00128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRF100P218 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100C750.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 750ohm, 5% +/-Tol | IRF100C750.00OHMSJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100S2.00KOHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 2000ohm, 5% +/-Tol | IRF100S2.00KOHMSJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-029PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010NSTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF1010NSTRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100S1OHMJ
Nikkohm Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 250W, 1ohm, 5% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF100S1OHMJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-030PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-029 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC10.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 10ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC10.00OHMSJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NS100.00OHMSK
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 100ohm, 10% +/-Tol | IRF100NS100.00OHMSK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-007PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC150.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 150ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC150.00OHMSJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1010NSTRRPBF |
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