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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF530PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRF530PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF532-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF532-004 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF533-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF533-006 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF5305-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-012PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF530N-024PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-018
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF530N-018 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF530N-005PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | IRF530S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF5305-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-019PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF531-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF531-012 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF532FI
STMicroelectronics
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1 | 8A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF532FI |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF532
Micro Electronics Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF532 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 15A, 100V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF530N-005PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-007PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 15A, 100V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF530N-007PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF533
STMicroelectronics
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1 | 12A, 80V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF533 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF531-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 14A, 80V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF531-001PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530
Texas Instruments
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1 | 14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF530 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF530N-015 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF5305-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-004 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF532-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF532-004PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF532-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF532-001 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF5305-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-030 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF533-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF533-009PBF |
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IRF530-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF530-010 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530N-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF530N-019 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||