Showing 25 of 356 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF712 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-001PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF710-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710
Intersil Corporation
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1 | 2A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF712-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7105PBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7105PBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF711-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF712-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF712 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF713-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF711-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.7A, 400V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF712-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-007PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF710R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7101TRHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7101TRHR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-007 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7101PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8 | IRF7101PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||