Showing 25 of 383 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722-003PBF |
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IRF723-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF723-013 |
0
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IRF720STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF720STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720R
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.3A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF720R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.8A, 350V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF723 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF721 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7220GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 14V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7220GPBF |
0
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IRF7204TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7204TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF723-001 |
0
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IRF720AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720AJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF722 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7204PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7204PBF |
0
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IRF722-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF722 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF720R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723-001PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF721-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 350V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF723-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7210PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7210PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF723 |
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