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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7493TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF7493TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7471TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7471TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | IRF740A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7474TRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | IRF7474TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7478
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7478 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,10A I(D),TO-220AB | IRF741 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF740A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7459TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7459TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF742-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF742-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF743-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF743-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7420TRPBF
International Rectifier
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1 | Transistor, | IRF7420TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7420PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 12V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7420PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF741-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF741-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7413TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7413TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7466
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7466 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF741-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF742-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF742-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7421D1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7421D1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7421D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7421D1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF744-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF744-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF743-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF743-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||