Showing 25 of 392 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFIBF20G-017
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-017 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBE30G-012
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC20GPBF
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20GPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBE30G-003
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-003 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC40GLC-010PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-010PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC40GLC-011
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBE20GPBF
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20GPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC30G-017PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-017PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBE30G-004PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-004PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIB7N50LPBF
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50LPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF20G-030PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-030PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF20G-012
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF30G
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF20G-018
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-018 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC20G-018PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-018PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF30G-017
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-017 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC20G-002
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF20G-010
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-010 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF20G-019
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-019 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC30G-003PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-003PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIB5N65A
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 650V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFIB5N65A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBC40G-030
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-030 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF30G-029
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-029 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBF30GPBF
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30GPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFIBE20G-009PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-009PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||