Showing 25 of 439 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ25-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ25-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24NLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFZ24NLPBF |
0
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IRFZ20
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ20-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ20-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ22
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ22 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ20-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ20-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24N-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24N-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-003PBF |
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IRFZ24N-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFZ24STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ25-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ25-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24N-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ22-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ22-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24VSTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ24VSTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ20-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ20-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ22-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ22-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ20PBF
Vishay
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1 | N-Channel 50 V 15A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB | IRFZ20PBF |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24N-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ20L
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ20L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24N-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ24STRL
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFZ24STRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||