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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203N-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-015PBF |
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IRLI2203N-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-015 |
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IRLI2505-110
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-110 |
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IRLI2505-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-004PBF |
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IRLI2203N-105
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-105 |
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IRLI2505-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-006 |
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IRLI2505-110
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-110 |
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IRLI2910-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-005 |
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IRLI2505-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-012PBF |
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IRLI2505-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-031PBF |
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IRLI2203N-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-005PBF |
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IRLI2910-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-024 |
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IRLI2910-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-018PBF |
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IRLI2910-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-006 |
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IRLI2505-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2910-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203N-102PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-102PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2505-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-019PBF |
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IRLI2203G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-011 |
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IRLI2910-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203G-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-003PBF |
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IRLI2203G-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-003 |
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IRLI2203N-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-004 |
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IRLI2505-105
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-105 |
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IRLI2910-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-018PBF |
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