Showing 25 of 319 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3703
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP3703 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055RLE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP3055RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP360
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP360 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCD381/BRFP30.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 30MHz Nom | HCD381/BRFP30.0MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR030RFP-32-15S-F80
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 8 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR030RFP-32-15S-F80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP340PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP360LC
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP360LC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-375375-6Y100-2
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 1500MHz Max | RFP-375375-6Y100-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3N50
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP3N50 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBRFP3M60SAFQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon | SBRFP3M60SAFQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP340A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP360
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP360 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP340A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-30-100R
Anaren Microwave
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, Surface Mount, 2010 | RFP-30-100R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP343
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP343 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP341CF
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFP341CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP351R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR030RFP-32-76S-F80-T104
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 19 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR030RFP-32-76S-F80-T104 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP350 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP351 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP340R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCD380/DRFP30.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | Sine Output Oscillator, 30MHz Nom | HCD380/DRFP30.0MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP354
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP354 |
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