Showing 25 of 552 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS3307TRLPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3307TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS350
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFS3207Z
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3207Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MRFS3960HS
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Transistor | MRFS3960HS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFS3006TRR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3006TRR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DRFS3273CKI
Digital RF Solutions Corp
|
1 | Memory IC | DRFS3273CKI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
3820-V06-A-UC-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
|
1 | Capacitive Sensor, | 3820-V06-A-UC-RR-FS3BAR-CR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
3820-C06-A-UC-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
|
1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 1000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C06-A-UC-RR-FS3BAR-CR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFS30
Mersen
|
1 | Specialty Fuses RENEWABLE FUSE 600V 30A RFS | RFS30 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3006TRLPBF
Infineon
|
1 | Infineon IRFS3006TRLPBF N-channel MOSFET, 270 A, 60 V HEXFET, 3+Tab-Pin TO-263AB | IRFS3006TRLPBF |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3207ZPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3207ZPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RCP0505W453RFS3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 453ohm, 25.1833V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505W453RFS3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
G6KU-2F-RF-S3VDC
OMRON Electronic Components
|
1 | RF Relay, DPDT, Latched, 0.033A (Coil), 3VDC (Coil), 100mW (Coil), 1A (Contact), 30VDC (Contact), 1000MHz, DC Input, AC/DC Output, Surface Mount-Straight, ROHS COMPLIANT | G6KU-2F-RF-S3VDC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DRFS3272KI
Digital RF Solutions Corp
|
1 | Memory IC | DRFS3272KI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFS3607TRR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3607TRR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
3820-C05-A-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
|
1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C05-A-RR-FS3BAR-OR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS38N20D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS38N20D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RCP0505W634RFS3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 634ohm, 29.7926V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505W634RFS3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS3607PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3607PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
3820-C03-A-UC-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
|
1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C03-A-UC-RR-FS3BAR-OR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS31N20DTRRPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS31N20DTRRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FRCIR02RFS-32-22S-F80-T54
ITT Interconnect Solutions
|
1 | MIL Series Connector, 54 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR02RFS-32-22S-F80-T54 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS30N20DTRR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS30N20DTRR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS31N20DTRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS31N20DTRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS331
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS331 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||