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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JABEHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABEHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF15N60GAFVHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF15N60GAFVHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JABEHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABEHU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABEHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABEHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JABEHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JABEHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JDAEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF130JDAEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N90GAFXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFXHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF15N60GAFXHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF15N60GAFXHU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF13N90GAFSHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 900V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF13N90GAFSHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABVGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABVGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA471M1HSDF1316B
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF, | RGA471M1HSDF1316B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JAAXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF1NA60JAAXHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JABVHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JABVHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N100GAFVGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N100GAFVGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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REA472M0JSDF1616C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 6.3V, 20% +Tol, 20% -Tol, 4700uF, | REA472M0JSDF1616C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF-12-D-S
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 24 Contact(s), 2 Row(s), Female, 0.05 inch Pitch, Crimp Terminal, Locking, Black Insulator, Plug | ISDF-12-D-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABVGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABVGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N90GAFXHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFXHSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JABSHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABSHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-104X-106.25M-NSA3346A
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 106.25MHz Nom | 7311S-DF-104X-106.25M-NSA3346A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100GAFVHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFVHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-104P-155.52M-NSA3346G
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 155.52MHz Nom | 7311S-DF-104P-155.52M-NSA3346G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JECXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JECXHD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N90GAFXGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFXGSB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABXHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABXHU1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||