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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JABXGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N60JABXGU1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JECEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JECEGSB |
0
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SDF10N100JEBSHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBSHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JABXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N60JABXHSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JECEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JECEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBXGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | SDF10N100JEBXGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEDEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259 | SDF10N100JEDEGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAAVGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAVGSZ |
0
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SDF10N60JAAVGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAVGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEDVHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259 | SDF10N100JEDVHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEAVGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JEAVGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEDXGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259 | SDF10N100JEDXGSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAASHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAASHSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBVGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBVGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAAEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAEGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100GAFVGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFVGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAAVHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAVHD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEAXGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JEAXGSN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEAEHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JEAEHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEAXGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JEAXGSB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N90GAFEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N90GAFEGD1Z |
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SDF10N60JAAEGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAEGSZ |
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SDF10N100JEASGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JEASGD1B |
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SDF10N60JAAEGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAEGSN |
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SDF10N90GAFVHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N90GAFVHU1N |
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