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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT20M40DN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT20M40DN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20GN60BG
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | APT20GN60BG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M38SVFRG
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 200V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | APT20M38SVFRG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20GF120KR
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | APT20GF120KR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20GT60BR.
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, | APT20GT60BR. |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M20JLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT20M20JLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT2012SEW/E
Kingbright
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1 | Single Color LED, Hyper Orange, Diffused White, 1.3mm, 2 X 1.20 MM, 0.75 MM HEIGHT, SMD, 2 PIN | APT2012SEW/E |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M22LVFRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT20M22LVFRG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M18B2VFRG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M18B2VFRG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT200GN60J
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 250A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT200GN60J |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20GN60B
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT20GN60B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20N60SCFG
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | APT20N60SCFG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M11JLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 176A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT20M11JLL |
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APT20GF120BRD
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT20GF120BRD |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M13PVR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT20M13PVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M16LLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M16LLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT2012ECT
Kingbright
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1 | Single Color LED, High Efficiency Red, 1.3mm, | APT2012ECT |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M16LLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M16LLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M21JN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT20M21JN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M21JN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,INDEPENDENT,200V V(BR)DSS,120A I(D) | APT20M21JN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20GN60BDQ2(G)
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | APT20GN60BDQ2(G) |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M20LFLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M20LFLL |
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APT20GT60BRG
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | APT20GT60BRG |
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APT20M20B2FLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | APT20M20B2FLL |
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APT2012HCT
Kingbright
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1 | Single Color LED, Bright Red, 1.3mm, | APT2012HCT |
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