Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60BRDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GT60BRDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5014LVFRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5014LVFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GS60BRDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT501R1CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT501R1CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5030BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 21A, 500V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5030BNR-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50N60JCCU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50N60JCCU2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, | APT50GS60BRDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024BLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5024BLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010JN
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5010JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M75WLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | APT50M75WLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT501R1BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT501R1BNR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 156A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT50GF120B2RG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF120B2R
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 135A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT50GF120B2R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5014B2LC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5014B2LC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5014B2FLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5014B2FLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120LR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT50GT120LR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010LVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5010LVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5018SFLLG/TR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5018SFLLG/TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50SM120J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 1200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50SM120J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5025BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 23 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5025BNR-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010LFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5010LFLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GN120B2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 134A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT50GN120B2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010B2VFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5010B2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120JU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT120JU3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120B2RG
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 106A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GT120B2RG |
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