Showing 25 of 370 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF130SMD05N
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA | IRF130SMD05N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF131R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF131R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-031PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-031PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1312S-TRR
International Rectifier
|
1 | 95A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 | IRF1312S-TRR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF130EAPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF130EAPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-010PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-010PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF130R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF130R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310N-031
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N-031 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF130
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-011
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-004PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-004PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF135S203
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 129A I(D), 135V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF135S203 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1324L
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 24V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1324L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-024PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-024PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310STRL
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1310STRL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-006PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-006PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310STRLPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1310STRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF132
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF132 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-009
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-009 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF131
Fairchild Semiconductor Corporation
|
0 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF131 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310N-011
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-029PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-029PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF132
Rochester Electronics LLC
|
1 | 12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF132 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1312STRL
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1312STRL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF1310-003PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-003PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||