Showing 25 of 392 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF20G-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-018 |
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IRFIBC30G-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-003PBF |
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IRFIBF20G-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-019 |
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IRFIB5N65A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 650V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFIB5N65A |
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IRFIBF30G-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF20G-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30G-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-019PBF |
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IRFIB5N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB5N50LPBF |
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IRFIBC40GLCPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLCPBF |
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IRFIBE30G-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-013 |
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IRFIBF20G-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-024 |
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IRFIBC40GLC-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIB8N50K
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB8N50K |
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IRFIB7N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50L |
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IRFIBF30G-011PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-011PBF |
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IRFIBC40G-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30G-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40G-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF20G-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-030 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF30G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIB5N65APBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 650V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB5N65APBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF30G-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-010 |
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IRFIBF20G
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G |
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IRFIBC30G-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-029PBF |
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