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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR210-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR210-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2905ZPBF
Infineon
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1 | Infineon IRFR2905ZPBF N-channel MOSFET, 59 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK | IRFR2905ZPBF |
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IRFR222
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | IRFR222 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR220NTRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR220NTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR210
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2307ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR2307ZTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2605PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR2605PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR224TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR224TRRPBF |
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IRFR220
onsemi
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0 | IRFR220 |
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IRFR214
Vishay
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0 | IRFR214 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR234BTM_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR234BTM_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220BTM_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR220BTM_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR220BTF_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR224BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR224BTF_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTRR
Infineon
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0 | IRFR220NTRR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTRL
Infineon
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0 | IRFR220NTRL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214
onsemi
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0 | IRFR214 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214BTM_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR214BTM_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220TR
Vishay
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0 | IRFR220TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2905Z
Infineon
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0 | IRFR2905Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2407TRL
Infineon
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0 | IRFR2407TRL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTR
Infineon
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0 | IRFR220NTR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR230BTM_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR230BTM_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR214BTF_FP001 |
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