Showing 25 of 356 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7171MTR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF7171MTR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF711 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF710AJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7105TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7105TRPBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF712-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7101HR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7101HR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF712-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF712-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710
onsemi
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1 | 1.5A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7103IPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8, 8 PIN | IRF7103IPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7105TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7105TRPBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF710-015PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7103QHR
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7103QHR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF713-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7171MTR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF7171MTR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 350V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF711-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF711-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7104TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7104TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF710R
Intersil Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB | IRF710R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.7A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF713-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF713-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF713-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||