Showing 25 of 392 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40G-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-017PBF |
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IRFIBF20G-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-003PBF |
0
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IRFIBC20G
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G |
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IRFIBF20G-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-005 |
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IRFIBF30G-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30GPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30GPBF |
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IRFIBF20G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-011 |
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IRFIBC40GLCPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLCPBF |
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IRFIBC20G-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-004 |
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IRFIB7N50A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFIB7N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIB7N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50LPBF |
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IRFIBF20G-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-024PBF |
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IRFIBE30G-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-031 |
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IRFIBE20G-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30G-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-018PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-031PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30G-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30G-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF30G-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-031PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-030 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30G-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30G-031
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-031 |
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IRFIBE20G-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-003 |
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