Showing 25 of 388 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF6472Y-133
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, PDMA168 | MT36LSDF6472Y-133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABVGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABVGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABSGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABSGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAVGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAVGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAEGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABEHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABEHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAVGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAVGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABSHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABSHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABVGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABVGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAASHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAASHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABXGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABXGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAXGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAXGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABSHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABSHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAEGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAEGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF6472G-133B2
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS | MT36LSDF6472G-133B2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAEHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAASGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAASGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5SDF63B0400
ABB Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6266A, 400V V(RRM), Silicon | 5SDF63B0400 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABEHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABEHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF6472Y-133XX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, DMA168 | MT36LSDF6472Y-133XX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464LHG-13E
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144 | MT16LSDF6464LHG-13E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABEHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABEHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABXHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABXHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF602
Solitron Devices Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | SDF602 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||