Showing 25 of 403 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8062-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8062-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8302
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.17ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8052-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8052-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817AC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817AC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8001(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,7A I(D),SO | TPC8001(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82A12
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 109V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82A12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8303(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8303(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8202(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8202(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816BC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816BC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8020-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8020-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8039-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8039-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816MAC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816MAC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8056-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8056-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8038-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPC8
Panduit Corp
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1 | Interconnection Device | STPC8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8132,LQ(S
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8132,LQ(S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816S1CRAG
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816S1CRAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8406-H(TE12LQ,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8406-H(TE12LQ,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8402(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8402(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8111(TE12L,Q,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8301
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.19ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8301 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8109
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8407(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8407(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8101
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | TPC8101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817CC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817CC9G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||