Showing 25 of 395 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203G-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-009 |
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IRLI2505-018
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-018 |
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IRLI2203N-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-006 |
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IRLI2203N-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-011PBF |
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IRLI2203G-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-031 |
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IRLI2505-106PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-106PBF |
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IRLI2505-106
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-106 |
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IRLI2505-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-002 |
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IRLI2203N-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-019 |
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IRLI2910-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-010 |
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IRLI2203N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N |
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IRLI2203G-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-013 |
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IRLI2505-103
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-103 |
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IRLI2505-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-030 |
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IRLI2203G-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2910-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-004 |
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IRLI2203N-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-018PBF |
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IRLI2203N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203G-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2505-104PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-104PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203G-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-015 |
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IRLI2203G-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-015PBF |
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IRLI2505-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-017 |
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IRLI2203N-109
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-109 |
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IRLI2203G-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-017 |
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