Showing 25 of 3578 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5557E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 49.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA | 1N5557E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1251MNVAE46FWN555C
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,250UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1251MNVAE46FWN555C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5551K-TA(RANGE:200-300)
JCET Group
|
1 | NPN transistor in TO-92 package, rated for 160 V collector-emitter voltage, 600 mA continuous collector current, 625 mW power dissipation, with DC current gain up to 300 and transition frequency up to 300 MHz. | 2N5551K-TA(RANGE:200-300) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
89075-N555P
Amphenol FCi
|
1 | Board Connector | 89075-N555P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTX1N5551
Micross Components
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon | JANTX1N5551 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5551(RANGE:100-150)
JCET Group
|
1 | NPN transistor in TO-92 package, rated for 160V collector-emitter voltage, 625mW power dissipation, with DC current gain up to 300 and transition frequency of 100MHz, suitable for general purpose switching applications. | 2N5551(RANGE:100-150) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5553USV
Sensitron Semiconductors
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon | 1N5553USV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1251MNVAE46FWN555B
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,250UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1251MNVAE46FWN555B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXV1N5550/TR
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon | JANTXV1N5550/TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1101MNV1328FWN555C
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,100UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1101MNV1328FWN555C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5550USE3
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon | 1N5550USE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5551UB09
STMicroelectronics
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor | 2N5551UB09 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8501MNV2250FKN5550
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,500UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8501MNV2250FKN5550 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5550RLRPG
onsemi
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | 2N5550RLRPG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5551H-Q
Diotec Semiconductor AG
|
1 | Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | 2N5551H-Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8221MNVAE42FWN555P
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,220UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8221MNVAE42FWN555P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANS1N5550US
Micross Components
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon | JANS1N5550US |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5551
Vishay Intertechnologies
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM) | 1N5551 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TN-555-HASD-1
Cobham PLC
|
1 | RF/Microwave Switch, 4400 MHz - 5000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE FIVE THROW SWITCH, 1.5 dB INSERTION LOSS | TN-555-HASD-1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
X347-W(N)5.5-5-450
ASC Capacitors
|
1 | Film Capacitor, Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 5.5uF, Chassis Mount, RADIAL LEADED | X347-W(N)5.5-5-450 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5550-AMMO
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | 2N5550-AMMO |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5551M1TA
Zetex / Diodes Inc
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2N5551M1TA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8221MNVAE42FWN555M
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,220UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8221MNVAE42FWN555M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5551R
Bkc Semiconductors Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon | 1N5551R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5551D3B-JQRS.DA
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 3A, 440V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC3, VARIANT B, 2 PIN | 1N5551D3B-JQRS.DA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||