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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAAEHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAEHSN |
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SDF12N90GAFSGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N90GAFSGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JABEGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JABEGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N90GAFSHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N90GAFSHD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100GAFXHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFXHU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JDAEHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF120JDAEHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA471M1HSDF1616P
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF, | RGA471M1HSDF1616P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JABXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF150JABXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N100GAFVHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N100GAFVHSB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAASHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAASHD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JABVGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABVGU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N90GAFXHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N90GAFXHD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA470M2GSDF1825T
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 400V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, | RGA470M2GSDF1825T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSS52SDF-106.25
Fox Electronics
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1 | HCMOS Output Clock Oscillator, 106.25MHz Nom | FSS52SDF-106.25 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBEGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBVHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBVHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CFS-DF-1425
SPC Multicomp
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1 | Push-On Terminal | CFS-DF-1425 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N90GAFEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N90GAFEGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA332M1ASDF1616P
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3300uF, | RGA332M1ASDF1616P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JABVGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JABVGSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | Series - Fundamental Quartz Crystal, 30MHz Nom | DNSDF1-30.000MHZ-T |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JABSHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABSHD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA682M1CSDF1825
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 6800uF, | RGA682M1CSDF1825 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JECXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JECXHSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF12872G-10EXX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 128MX72, 6ns, CMOS, DMA168 | MT36LSDF12872G-10EXX |
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