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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8403(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),SO | TPC8403(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8132,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8132,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8303
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8041(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8041(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8067-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8067-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8124(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82A18
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 109V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82A18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TTPC-8
Stancor
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1 | Telecom Transformer | TTPC-8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8003(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8003(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8059-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8059-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8059-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8059-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8082
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8082 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8028
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8028 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8012-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8012-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8134,LQ(S
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8134,LQ(S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8085
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8213-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8213-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A07-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A07-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8223-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8223-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8405(TE12L.Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8405(TE12L.Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8403TE12L
Toshiba America Electronic Components
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0 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8403TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817S1CRAG
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817S1CRAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8401(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8401(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8216-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 30V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8216-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8128(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8128(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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