Showing 25 of 1329 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.CVP
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.CVP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N666816A
Motorola Mobility LLC
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1 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N666816A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6661LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667-6265
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667-6265 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-LCC4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 0.9A, 90V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6661-LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.SS
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.SS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668AJ
Motorola Mobility LLC
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6668AJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 900mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6661R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.DA
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.DA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),TO-39 | 2N6660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | 2N6666 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668UA
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668UA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-6263
Intersil Corporation
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1 | 8A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6666-6263 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667LEADFREE
Central Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | 2N6667LEADFREE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668-6258
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-6258 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667C
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661CSM4-JQRG4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 0.9A, 90V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4-JQRG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660CSM4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Si, SMALL SIGNAL, FET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6660CSM4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.RAD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.RAD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 900mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6661.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
Vishay
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39 TOLL LID, 3 PIN | 2N6661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667
onsemi
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1 | Obsolete - 10 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor | 2N6667 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 900mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6661 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667
Mospec Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | 2N6667 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||