Showing 25 of 475 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ20-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ20-012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24N-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-003PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ2016
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ2016 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRFZ24-018PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ22-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 14A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFZ22-012PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24-011PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ20-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ20-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24-029
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRFZ24-029 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ22R3
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 14A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRFZ22R3 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ20-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ20-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ25-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ25-009 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ22T
Motorola Mobility LLC
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1 | 14A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFZ22T |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24N-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRFZ24N-011 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ25-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 16A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFZ25-006PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRFZ24-030 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ22
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ22 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24N-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 17A, 55V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFZ24N-030PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ22A
Motorola Mobility LLC
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1 | 14A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFZ22A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ20L
Motorola Mobility LLC
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1 | 15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFZ20L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRFZ24-013PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24-030 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24N-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 17A, 55V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFZ24N-024PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ20-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ20-011PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ22-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ22-005 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFZ24N-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ24N-017PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||