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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR1WSFRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR1WSFRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF204JRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.4W, 510000ohm, 200V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF204JRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-009PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF204FRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.4W, 510000ohm, 200V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF204FRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RK1BLT52RF5105
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 51000000ohm, 1000V, 1% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RK1BLT52RF5105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF510-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF50SFRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510ohm, 300V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF50SFRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ALVRF-5-100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 7W, 100ohm, 1% +/-Tol, -30,30ppm/Cel, | ALVRF-5-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050GTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050GTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-25GRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 510000ohm, 250V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-25GRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF51016
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF51016 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050SFTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050SFTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510S
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510FPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510FPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR300FTRF510K
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 3W, 510000ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR300FTRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RK1BCT52RF5103
KOA Speer Electronics Inc
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1 | RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 1W, 1%, 350ppm, 510000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | RK1BCT52RF5103 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF25SFRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 510ohm, 200V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel | MMF25SFRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-019PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-50DRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-50DRF510R |
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