Showing 25 of 534 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34-010
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8503CA156.2M625.0M-APRLZ3
Seiko Epson Corporation
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 156.2MHz Nom | SG-8503CA156.2M625.0M-APRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8506CA53.0M0XE-AQRLZ3
Seiko Epson Corporation
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator | SG-8506CA53.0M0XE-AQRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34N-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34N-019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34N-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34N-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ30ATE12A
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ30ATE12A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8503CA156.2M625.0M-AQRLZ3
Epson Electronics America Inc
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 156.2MHz Nom | SG-8503CA156.2M625.0M-AQRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ33BTE11A
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ33BTE11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ33BTE11C
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ33BTE11C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ30ATE-16
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ30ATE-16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34N-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34N-007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34N-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34N-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ33ATE11A
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ33ATE11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8506CA64.0M0XD-APRLZ3
Seiko Epson Corporation
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator | SG-8506CA64.0M0XD-APRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ30CTE11A
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ30CTE11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8504CA156.2MNNNN-APRLZ3
Epson Electronics America Inc
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 156.2MHz Nom | SG-8504CA156.2MNNNN-APRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ39GTE-12
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ39GTE-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8504CA800MNNNN-APRLZ3
Epson Electronics America Inc
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 800MHz Nom | SG-8504CA800MNNNN-APRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ39DTE-11
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ39DTE-11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-8506CA425.0M0X2-AQRLZ3
Seiko Epson Corporation
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator | SG-8506CA425.0M0X2-AQRLZ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34N-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34N-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ34N-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 55V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ34N-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||