Showing 25 of 421 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF831-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF831-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF8304MPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | IRF8304MPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF832
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF832 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830WC
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830WC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF833-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF833-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF832-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF832-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF831
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF831 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF831-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF831-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | IRF830 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF831
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF831 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF831
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF831 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF830 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF831
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF831 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830I-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN, FET General Purpose Power | IRF830I-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF833-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF833-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830A16A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830A16A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF830 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF833R
Intersil Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,4A I(D),TO-220AB | IRF833R |
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IRF830-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-012 |
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IRF833
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF833 |
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