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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8035-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8035-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8004
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8047-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8047-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8122
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82B12
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 99V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82B12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8051-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8051-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8401
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8401 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8218-H(TE12L,QM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8218-H(TE12L,QM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8218-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8218-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8221-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8221-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8029
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8127
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8047-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8047-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8125(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8125(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8085(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8085(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A05-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0176ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A05-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8054-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8054-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8110(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8110(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8119
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8119 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A04-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A04-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8058-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8058-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8221-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8221-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8203(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6A I(D),SO | TPC8203(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8013-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8013-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8406-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8406-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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