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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.GBDM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.GBDM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667UA
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667UA |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666-DR6269
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-DR6269 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660CSM4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6660CSM4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668
General Electric Solid State
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1 | Transistor, | 2N6668 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667C
Motorola Mobility LLC
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6667C |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
Motorola Mobility LLC
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1 | 2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661CSM4-JQR-BG4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 0.9A, 90V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4-JQR-BG4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667-DR6260
Intersil Corporation
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6667-DR6260 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661B
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, | 2N6661B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668AK
onsemi
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN | 2N6668AK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668-DR6259
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-DR6259 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668-DR6259
Intersil Corporation
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6668-DR6259 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667-6258
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667-6258 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667AS
onsemi
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1 | TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power | 2N6667AS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666-6261
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-6261 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 3ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6660LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661CSM4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6660-QR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666-6255
Intersil Corporation
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1 | 8A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6666-6255 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666LEADFREE
Central Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | 2N6666LEADFREE |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.1A, 60V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6660-SM |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660-SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6660-SM |
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2N6668
NTE ELECTRONICS
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1 | Trans Darlington PNP 80V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | 2N6668 |
0
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