Showing 25 of 3179 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JAAEGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF150JAAEGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABXGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABXGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA102M1VSDF1316P
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF, | RGA102M1VSDF1316P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBEHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBEHD1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA471M1HSDF1316C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF, | RGA471M1HSDF1316C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA332M1CSDF1616C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3300uF, | RGA332M1CSDF1616C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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REA470M2CSDF1616T
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, | REA470M2CSDF1616T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF121EHX
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF121EHX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABVGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABVGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JABVHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N60JABVHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JDAXGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF120JDAXGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100GAFXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFXHD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABVGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABVGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JAASHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF140JAASHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O52.0-JT22S-D-F-1.8-LF
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, 52MHz Nom | O52.0-JT22S-D-F-1.8-LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JABXGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF150JABXGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAAXHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAXHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEDEGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259 | SDF10N100JEDEGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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REA332M1CSDF1620C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3300uF, | REA332M1CSDF1620C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA471M1HSDF1616
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF, | RGA471M1HSDF1616 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JABEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JABEGD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF15N60GAFSHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF15N60GAFSHD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAASGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAASGU1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JDAXGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF1NA60JDAXGU1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBEHSB |
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