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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRF5100G
Galaxy Microelectronics
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC | MBRF5100G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RK1/2BLT52RF5103
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 510000ohm, 700V, 1% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RK1/2BLT52RF5103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CFR-50GR-F510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Carbon Film, 0.5W, 510000ohm, 350V, 2% +/-Tol, -700,0ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | CFR-50GR-F510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-50GRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510000ohm, 350V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-50GRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-25CRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 510000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-25CRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMP100GRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510000ohm, 350V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount | MMP100GRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-50DRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510000ohm, 350V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-50DRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR200GTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 510ohm, 500V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR200GTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF204JRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.4W, 510ohm, 200V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF204JRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVR-25FRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, 0.25W, 510000ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | HVR-25FRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RK1BCT52RF5104
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 5100000ohm, 1000V, 1% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | RK1BCT52RF5104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC1206JRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 510000ohm, 200V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | RC1206JRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF207CRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.6W, 510000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF207CRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510S
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF-50FRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF-50FRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR1WSFRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR1WSFRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-12DRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.1666W, 510000ohm, 150V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-12DRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF-25FRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 510000ohm, 250V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF-25FRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR200SFTRF510K
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 510000ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR200SFTRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF2WSFRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 510ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF2WSFRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510N
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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