Showing 25 of 3179 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SDF1NA60JABVHU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JABVHU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
7311S-DF-104X-187.5M-NSA3346A
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
|
1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 187.5MHz Nom | 7311S-DF-104X-187.5M-NSA3346A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF120JAASGU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF120JAASGU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF1NA60JDASGSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | SDF1NA60JDASGSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA222M1CSDF1316T
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2200uF, | REA222M1CSDF1316T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JDAXHU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JDAXHU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JDAXGU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF140JDAXGU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF1NA60JAAXGSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF1NA60JAAXGSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF1NA60JAAEHSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF1NA60JAAEHSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF11N90GAFXGU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFXGU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF15N60GAFXHD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF15N60GAFXHD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N90GAFEHU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N90GAFEHU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100JECSGU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JECSGU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100GAFXGSB
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFXGSB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ISDF-10-S-M
Samtec Inc
|
1 | Board Connector, 10 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.05 inch Pitch, Wire Terminal, Black Insulator | ISDF-10-S-M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF130JABSHSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABSHSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF11N90GAFXGU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFXGU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DNSDF1-30.000MHZ
MMD
|
1 | Series - Fundamental Quartz Crystal, 30MHz Nom | DNSDF1-30.000MHZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
5SDF12F3005
ABB Semiconductors
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1256A, 3000V V(RRM), Silicon | 5SDF12F3005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JDAXGU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF140JDAXGU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N60JAASGD1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAASGD1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ISDF-15-S-M
Samtec Inc
|
1 | Board Connector, 15 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.05 inch Pitch, Wire Terminal, Black Insulator | ISDF-15-S-M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N60JAAXHD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAXHD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT36LSDF12872G-133XX
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 128MX72, 5.4ns, CMOS, DMA168 | MT36LSDF12872G-133XX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N60JAAVGD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAAVGD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||