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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB03N60S5ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB03N60S5ATMA1 |
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0603N600G250CT
Walsin Technology Corporation
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 2% +Tol, 2% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00006uF, Surface Mount, 0603 | 0603N600G250CT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP03N60C3
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.2A, 600V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP03N60C3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ILP03N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | ILP03N60 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ILB03N60-E3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | ILB03N60-E3045A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RG0603N-6040-B-T10
Susumu Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.0625W, 604ohm, 30V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0201 | RG0603N-6040-B-T10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0603N-6042B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 60400ohm, 50V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-0603N-6042B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1210-3N6-09S-BAH
Tekcon Electronics Corp
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1 | D Subminiature Connector, 9 Contact(s), Female, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, #4-40, Receptacle | 1210-3N6-09S-BAH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0603N600G160CT
Walsin Technology Corporation
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 2% +Tol, 2% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00006uF, Surface Mount, 0603 | 0603N600G160CT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0603N-6041A
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 6040ohm, 50V, 0.05% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-0603N-6041A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMV03N60E
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FMV03N60E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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500H03N603MQ4
Advanced Monolythic Ceramics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.06uF, Through Hole Mount | 500H03N603MQ4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0603N-6042T
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 60400ohm, 50V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | TPI-0603N-6042T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD03N60S5
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.2A, 600V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3 | SPD03N60S5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD03N60RF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD03N60RF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPS03N60C3BKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | SPS03N60C3BKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPU03N60C3BKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | SPU03N60C3BKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPA03N60C3XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPA03N60C3XK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0603N600F250CT
Walsin Technology Corporation
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00006uF, Surface Mount, 0603 | 0603N600F250CT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0603N-6041T
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 6040ohm, 50V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-0603N-6041T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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P200-600-3-N-60-P-60-P-S
Smiths Group
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1 | Rack and Panel Connector, 120 Contact(s), Male-Male, Solder Terminal | P200-600-3-N-60-P-60-P-S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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500H03N603KQ4S
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.06uF, Through Hole Mount | 500H03N603KQ4S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD03N60S5BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD03N60S5BTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ILD03N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | ILD03N60 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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500H03N603ZQ3T
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.06uF, Through Hole Mount | 500H03N603ZQ3T |
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