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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-ML-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40L-ML-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-ML-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40G-ML-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40G-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40KL-MT-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40KL-MT-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40G-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 12N40G-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-ML-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40G-ML-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40G-CB-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 12N40G-CB-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-ML-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40L-ML-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40KL-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40KL-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-ML-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40L-ML-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40L-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40L-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40KG-MT-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N40KG-MT-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N40L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 12N40L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTH12N40C1D
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT, TO-218AC | HGTH12N40C1D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-4021B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 4020ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-2512N-4021B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R3112N401A-TR-FB
Ricoh Electronic Devices Co Ltd
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1 | Voltage Supervisor/Reset IC, Fixed, 1 Channel, +4V, CMOS, PDSO5 | R3112N401A-TR-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NRG2012N-4020-W-T1
Susumu Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 402ohm, 150V, 0.05% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP | NRG2012N-4020-W-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XC612N4038MR
Torex Semiconductor LTD
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1 | Voltage Detector, Fixed, 2 Channel, +4,3.8V, CMOS, PDSO5 | XC612N4038MR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XC612N4017MR
Torex Semiconductor LTD
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1 | Voltage Detector, Fixed, 2 Channel, +4,1.7V, CMOS, PDSO5 | XC612N4017MR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XC612N4018DR
Torex Semiconductor LTD
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1 | Voltage Detector, Fixed, 2 Channel, +4,1.8V, CMOS, PDSO6 | XC612N4018DR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRG2012N-4021-B-T5
Susumu Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 4020ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP | MRG2012N-4021-B-T5 |
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