Showing 25 of 2034 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50KL-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50KL-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50W-3
Cobham PLC
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max | 12N50W-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.62ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | 12N50G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50W-6F
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max | 12N50W-6F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50L-TC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50W-6
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max | 12N50W-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50KL-MT-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50KL-MT-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50WR-10FM
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator | 12N50WR-10FM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50KL-MT-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 12N50KL-MT-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50WR-03F
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator | 12N50WR-03F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50W-6
Cobham RFMW Solutions
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max | 12N50W-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50W-3F
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max | 12N50W-3F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50WR-06F
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator | 12N50WR-06F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 12N50L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50KL-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50KL-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50G-TC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50G-TC-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50W-3
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max | 12N50W-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50L-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50WR-20FM
Spectrum Control
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1 | Fixed Attenuator | 12N50WR-20FM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50L-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50KL-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N50KL-MT-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 12N50L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N50L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 12N50L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||