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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KG-MT-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65KG-MT-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KG-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65KG-MT-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KL-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65KL-MT-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-TC-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65L-TC-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-C-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | 12N65L-C-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 12N65L-T3P-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KG-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65KG-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TC-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-TC-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-C-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-C-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-CBQ-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-CBQ-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-ML-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 12N65G-ML-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TA3-T |
0
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12N65G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-C-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-C-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KL-MT-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65KL-MT-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-CBQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65L-CBQ-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KG-MT-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65KG-MT-TF3T-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 12N65G-T2Q-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-CBQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-CBQ-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KL-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65KL-MT-TF2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KG-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65KG-TF3T-T |
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12N65L-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65L-TC-TF3-T |
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