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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65L-MT-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65KG-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65KG-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-MT-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65L-MT-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65G-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-MT-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 15N65L-MT-T2Q-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65KL-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65KL-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-TC3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 15N65L-TC3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-MT-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65G-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 15N65L-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 15N65G-MT-T2Q-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65L-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65L-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65G-MT-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IKA15N65H5XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IKA15N65H5XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TW015N65C,S1F(S
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 650V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | TW015N65C,S1F(S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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660-031M15N6-54G
Glenair Inc
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1 | Connector Accessory | 660-031M15N6-54G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IKA15N65ET6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IKA15N65ET6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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660-050XM15N652
Glenair Inc
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1 | Connector Accessory, Cover Item | 660-050XM15N652 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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