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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2807T1L-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2807T1L-E1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2810T1L-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2810T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2805UT1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2805UT1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2803T1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2803T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2810T1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2810T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2811T1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2811T1L-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2802T1L-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2802T1L-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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