Showing 25 of 107 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB11N60C3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB11N60C3 |
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SPD01N60C3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD01N60C3 |
0
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FQT1N60C
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT1N60C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AF01N60CZ-E1
Diodes-BCD
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | AF01N60CZ-E1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPN01N60C3HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SPN01N60C3HTSA1 |
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FQN1N60CTA
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | FQN1N60CTA |
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SPD01N60C3BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD01N60C3BTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD01N60C3XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD01N60C3XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPS01N60C3BKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | SPS01N60C3BKMA1 |
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PJ1N60CS
Promax-Johnton Electronic Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PJ1N60CS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM11N60CSAT
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | OM11N60CSAT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB11N60C3ATMA1 |
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FQN1N60CBU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | FQN1N60CBU |
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SPW11N60C2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SPW11N60C2 |
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FQP1N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP1N60C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP11N60CFDHKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP11N60CFDXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP11N60CFDXK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB11N60C3
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 600V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | SPB11N60C3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PJ1N60CH
Promax-Johnton Electronic Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PJ1N60CH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQN1N60CTA
Rochester Electronics LLC
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1 | 300mA, 600V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN | FQN1N60CTA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT1N60CTF_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | FQT1N60CTF_WS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPI11N60C3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | SPI11N60C3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM11N60CSA
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | OM11N60CSA |
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AF01N60CZTR-E1
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | AF01N60CZTR-E1 |
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SPA11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPA11N60CFDXKSA1 |
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