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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCB11N60TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | FCB11N60TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T11-211N-6.0-TZZ01
Schurter Electronic Components
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1 | T11-211N-6.0-TZZ01 | T11-211N-6.0-TZZ01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MDFS11N60TH
MagnaChip Semiconductor Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | MDFS11N60TH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D3001N60T
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3840A, 6000V V(RRM), Silicon | D3001N60T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU1N60TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU1N60TU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TC1N60TA2
Tak Cheong Electronics (Holdings) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35 | TC1N60TA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D3001N60T
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4040A, 6000V V(RRM), Silicon | D3001N60T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T1851N60TOH
Infineon Technologies AG
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 1850A I(T), 6000V V(DRM) | T1851N60TOH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU1N60TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU1N60TU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D711N60T
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1050A, 6000V V(RRM), Silicon | D711N60T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 1N60-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMF12-121N-6.0-TZZ02
Schurter Electronic Components
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1 | 1 Pole(s), 6A, 240VAC, 28VDC, Panel Mount | TMF12-121N-6.0-TZZ02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T11-611N-6.0-TZZ01
Schurter Electronic Components
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1 | T11-611N-6.0-TZZ01 | T11-611N-6.0-TZZ01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDD01N60T4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDD01N60T4G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T12-121N6.0TZZ01
Schurter Electronic Components
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1 | T12-121N6.0TZZ01 | T12-121N6.0TZZ01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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81N60(TO-92)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Voltage Supervisor/Reset IC, Fixed, +6V, CMOS | 81N60(TO-92) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TC1N60TB
Tak Cheong Electronics (Holdings) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35 | TC1N60TB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T1851N60TOHXPSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 3940A I(T)RMS, 6000V V(DRM), 6000V V(RRM), 1 Element | T1851N60TOHXPSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T201N60TOH
Infineon Technologies AG
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 245A I(T), 6000V V(DRM) | T201N60TOH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TC1N60TA
Tak Cheong Electronics (Holdings) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35 | TC1N60TA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMT12-221N-6.0-TZZ02
Schurter Electronic Components
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1 | 1 Pole(s), 6A, 240VAC, 28VDC, Panel Mount | TMT12-221N-6.0-TZZ02 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHT1N60T
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHT1N60T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T1651N60TOH
Infineon Technologies AG
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 2620A I(T)RMS, 1650A I(T), 6000V V(DRM), 6000V V(RRM), 1 Element | T1651N60TOH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1481N60T
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2300A, 6000V V(RRM), Silicon | D1481N60T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||