Showing 25 of 1327 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661UB
VPT Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6661UB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668AJ
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668AJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661CSM4-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4-JQR-A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667AF
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667AF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660.MOD
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6660.MOD |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6660.MOD |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661CSM4-JQR-BG4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4-JQR-BG4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666
Central Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | 2N6666 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661CSM4-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 0.9A, 90V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668AU
onsemi
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN | 2N6668AU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6660 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
Crimson Semiconductor Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 90V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660C4A
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660X-QR-EB
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.1A, 60V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39, METAL PACKAGE-3 | 2N6660X-QR-EB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668
Harris Semiconductor
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0 | Transistor | 2N6668 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668-6261
Intersil Corporation
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6668-6261 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668UA
Motorola Mobility LLC
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1 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6668UA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660C4A-JQRS.GCDM
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.GCDM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667AF
onsemi
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN | 2N6667AF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668-6255
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-6255 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660-QR
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6660-QR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667
Boca Semiconductor Inc
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1 | Transistor | 2N6667 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,90V V(BR)DSS,2A I(D),TO-39 | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667
Motorola Mobility LLC
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, CASE 221A-06, 3 PIN | 2N6667 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||