Showing 25 of 445 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6782E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784
Motorola Mobility LLC
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1 | 2.25A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6784 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6787
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6787 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 400V 1.25A 3-Pin TO-39 | 2N6786 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6781R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 60V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6781R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788LCC4E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.5A, 100V, 0.345ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6788LCC4E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 2.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6784 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6783LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 150V, 1.5ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC40SM | 2N6783LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784TXV
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782.MOD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6782.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784TX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N678B
Semitronics Corp
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1 | Transistor, | 2N678B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6788SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 100V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6788SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6785
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6785 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782U
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, LCC-18 | 2N6782U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6782-QR-BR1 |
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2N6782LCC4-JQR-AE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | 2N6782LCC4-JQR-AE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788LCC4E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6788LCC4E4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6787-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 60V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6787-SM |
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