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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788EAPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6788EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6787LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6787LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6783
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6783 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782EC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782EC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6785
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6785 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786.MODR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6786.MODR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6786 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784
Unitrode Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6786
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6786 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784TXV
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782LCC4-JQR-AE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6782LCC4-JQR-AE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6787-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6787-SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6789LCC4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 0.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6789LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6784
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782TXV
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6788SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6788SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6782-JQR-AR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782-JQR-AR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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