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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845R1 |
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2N6845LCC4E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6845LCC4E4 |
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2N6845-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-QR-B |
0
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2N6845EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845EC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845EC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845LCC4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6845LCC4 |
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2N6845EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6845EPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845EC |
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2N6845-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-JQR-A |
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2N6845LCC4E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6845LCC4E4 |
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2N6845E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845E |
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2N6845-JQRE1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-JQRE1 |
0
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2N6845-JQR
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-JQR |
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2N6845ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845ED |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845ECPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6845ECPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845E
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845EB
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845EB |
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2N6845-JQR
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-JQR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845EA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845EA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845EDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6845EDPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845ECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845ECPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6845-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-JQR-B |
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2N6845R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845R1 |
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2N6845-JQR-BE1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6845-JQR-BE1 |
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JANTX2N6845
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANTX2N6845 |
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