Showing 25 of 110 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N689PBF
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-208AA | 2N689PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N689M
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16mA I(T), 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-208AA | 2N689M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N689E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T), 500V V(DRM) | 2N689E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N689A
Texas Instruments
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0 | Silicon Controlled Rectifier, 18A I(T), 500V V(DRM) | 2N689A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6895
Rochester Electronics LLC
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1 | 1160mA, 100V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF | 2N6895 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6896
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6897
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6897 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898TXV
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6898TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6898 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6897TX
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6897TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6896
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6898 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6897
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6897 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6896TX
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6896TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6895TX
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.16A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6895TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6896
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6895
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | 2N6895 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6897TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6897TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6897TX
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6897TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6896TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6896TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898TX
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6898TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6895TXV
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.16A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6895TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6898TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898TX
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6898TX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6898
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6898 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||