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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7236R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | 2N7236R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7236R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | 2N7236R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7236
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | 2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7237D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTXV2N7237D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7237
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0402N-7231T
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 7230ohm, 25V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | TPI-0402N-7231T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7236U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANTX2N7236U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7237U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANS2N7237U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7236U
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANTXV2N7236U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7237
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTX2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0402N-7231B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 7230ohm, 25V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-0402N-7231B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0402N-7231D
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 7230ohm, 25V, 0.5% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | TPI-0402N-7231D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7236
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7236U
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANTX2N7236U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0402N-7230D
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 723ohm, 25V, 0.5% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | TPI-0402N-7230D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7237
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7236
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-7232B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 72300ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-2512N-7232B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-7230T
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 723ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | TPI-2512N-7230T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N7237D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANTX2N7237D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7237U
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB | JANS2N7237U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1202N723B-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Co Ltd
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1 | Switching Regulator, 0.9A, 1400kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO6 | R1202N723B-TR-FE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANHCA2N7236
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANHCA2N7236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1202N723A-TR-FE
New Japan Radio Co Ltd
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1 | Switching Regulator | R1202N723A-TR-FE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-2512N-7230D
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 723ohm, 150V, 0.5% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-2512N-7230D |
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