Showing 25 of 53 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ233AY
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ233AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ239LBTE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ239LBTE16L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ232AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ232AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ233-AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, POWER, FET | 2SJ233-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ231
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ231 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ231-AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 500mA, 100V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2SJ231-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ232-AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, POWER, FET | 2SJ232-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ239TE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ239TE16L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ239TE16R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ239TE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ236
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ233AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ233AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ231AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, NMP, SC-71, 3 PIN | 2SJ231AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ230-AY
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, POWER, FET | 2SJ230-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ230-AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, POWER, FET | 2SJ230-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ230
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ231AN
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, NMP, SC-71, 3 PIN | 2SJ231AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E5J88-V2SJ23-L
Pulse Electronics Corporation
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1 | RJ Connector, 32 Contact(s), Female, Right Angle, Solder Terminal, Jack | E5J88-V2SJ23-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E5J88-32SJ23-L
Pulse Electronics Corporation
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1 | RJ Connector, 32 Contact(s), Female, Right Angle, Solder Terminal, Jack | E5J88-32SJ23-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||